由山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司和山東大學(xué)研究的碳化硅晶體制備關(guān)鍵技術(shù)包含了晶體生長(zhǎng)裝備、籽晶成核控制、釩雜質(zhì)緩釋、化學(xué)機(jī)械拋光等十多項(xiàng)核心技術(shù)，生長(zhǎng)出了低微管缺陷密度的半絕緣型和N型碳化硅單晶，微管密度小于0.5個(gè)/cm2，半絕緣單晶電阻率大于1012Ω.cm，并加工出適合器件應(yīng)用的襯底，研制出低成本、高可靠性的單晶生長(zhǎng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化，該項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)突破了外國(guó)技術(shù)封鎖和產(chǎn)品壟斷，使我國(guó)成為目前世界上少數(shù)幾個(gè)掌握碳化硅晶體制備技術(shù)的國(guó)家之一。該關(guān)鍵技術(shù)申請(qǐng)國(guó)內(nèi)發(fā)明專利10余項(xiàng)，形成了有效的知識(shí)產(chǎn)權(quán)布局，曾獲2014年山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。該關(guān)鍵技術(shù)已形成了規(guī)模化生產(chǎn)能力，近五年來取得直接經(jīng)濟(jì)效益達(dá)5億元，創(chuàng)造間接經(jīng)濟(jì)效益達(dá)30億多元。

[責(zé)任編輯：楊凡、王娜]

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